设备参数
设备特点
· 采用In-Line直通式线列结构
· 大面积载板、RF/VHF放电系统,快速工艺节拍
· 模块化结构,腔室间配备独立门阀,不同工艺有隔离室隔离,避免交叉污染
· 热壁结构的内放电气盒,有效控制射频放电区域和工艺稳定性
· RPS在线清洗,降低维护成本和时间,提高设备开机率
· 高度紧凑的腔室内部空间,迅速达到工艺所需的真空度和温度,节约泵组、加热用电
PECVD产线
· In-Line线列式溅射系统,双面同时在线溅射镀膜
· 配备大功率长寿命旋转阴极,实现了界面层超低损伤镀膜
· 灵活可变的ITO地损伤沉积技术
· 在线载板清洗技术,降低维护成本和时间,提高开机率
· 复合氧化膜透明导电设计,大幅度降低电池制造过程中的非硅成本
PVD产线
· 具有离化率高、膜层致密性高、高能中性粒子密度大、绕镀性好、低电压和大电流的特点
· 操作简单、安全,结构紧凑,工艺稳定性高
· 对比其它镀膜技术,具有明显的性能优势
· 适合科研和生产推广
HCD450设备
· HCD450是一种空心阴极反应离子镀膜设备,通过弧光放电形成的高密度等离子体使金属原子的离化率大大增加,可以更方便地沉积高质量反应膜层。主要应用于半导体、工具工业、光伏等应用领域,是下一代高效太阳能电池钙钛矿电池的核心研发设备
单体设备
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